半导体材料科学家——林兰英

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林兰英

        林兰英（1918年2月7日—2003年3月4日），女，福建莆田人，半导体材料科学家，中国科学院学部委员，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师。
        林兰英于1940年从福建协和大学毕业后留校任教；
        1948年赴美留学，进入宾夕法尼亚州迪金森学院数学系学习；
        1949年获得迪金森学院数学学士学位，同年进入宾夕法尼亚大学研究生院进行固体物理的研究，先后获得硕士、博士学位；
        1955年博士毕业后进入纽约长岛的索菲尼亚公司担任高级工程师进行半导体研究；
        1957年1月回到中国，并进入中国科学院物理研究所工作；
        1960年中国科学院半导体研究所成立后，林兰英担任该所研究员；
        1977年—1983年担任中国科学院半导体研究所副所长；
        1980年当选为中国科学院学部委员（院士）；
        2003年3月4日在北京逝世，享年85岁。
        林兰英主要从事半导体材料制备及物理的研究。在锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶和高纯锑化铟单晶的制备及性质等研究方面获得成果，其中砷化镓气相和液相外延单晶的纯度及电子迁移率，均达到国际先进水平。